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AON6576  与  BSC050N03MS G  区别

型号 AON6576 BSC050N03MS G
唯样编号 A36-AON6576 A-BSC050N03MS G
制造商 AOS Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 功率MOSFET 功率MOSFET
描述
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
宽度 - 5.15mm
Rds On(Max)@Id,Vgs 4.7mΩ@20A,10V 5mΩ
上升时间 - 7.2ns
漏源极电压Vds 30V 30V
Pd-功率耗散(Max) 26W 2.5W
栅极电压Vgs ±20V 16V
典型关闭延迟时间 - 16ns
FET类型 N-Channel N-Channel
封装/外壳 DFN 5x6 -
连续漏极电流Id 32A 16A
工作温度 -55°C~150°C -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - SingleQuadDrainTripleSource
系列 - OptiMOS3M
长度 - 5.9mm
下降时间 - 7.4ns
典型接通延迟时间 - 14ns
高度 - 1.27mm
库存与单价
库存 1,670 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税)
60+ :  ¥0.9383
200+ :  ¥0.6479
1,500+ :  ¥0.5874
暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
AON6576 AOS  数据手册 功率MOSFET

DFN 5x6 N-Channel 30V ±20V 32A 26W 4.7mΩ@20A,10V -55°C~150°C

¥0.9383 

阶梯数 价格
60: ¥0.9383
200: ¥0.6479
1,500: ¥0.5874
1,670 当前型号
DMN3008SFG-7 Diodes Incorporated  数据手册 通用MOSFET

N-Channel 900mW(Ta) ±20V PowerDI3333-8 -55℃~150℃(TJ) 30V 17.6A(Ta)

¥1.3266 

阶梯数 价格
40: ¥1.3266
50: ¥1.0197
2,000: ¥0.9405
2,483 对比
RQ3E180AJTB ROHM Semiconductor  数据手册 功率MOSFET

N-Channel 30V 18A(Ta),30A(Tc) ±12V 2W(Ta),30W(Tc) 4.5mΩ@18A,4.5V -55℃~150℃ 8-PowerVDFN

暂无价格 100 对比
BSC050N03LSGATMA1 Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC050N03LS G_N 通道 8-PowerTDFN -55°C ~ 150°C(TJ)

暂无价格 0 对比
BSC0906NS Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC0906NSATMA1_30V 63A 4.5mΩ 10V 30W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比
BSC050N03MS G Infineon  数据手册 功率MOSFET

BSC050N03MSGATMA1_30V 16A 5mΩ 16V 2.5W N-Channel -55°C~150°C

暂无价格 0 对比

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